A HBM2E szabvány 24 GB-os kapacitást és 307 GBps-os memória-sávszélességet tesz lehetővé, és elsősorban a videokártyák és szerverek piacán jelenthet nagy előrelépést. A Samsung pedig tartja az ígéreteit, és bejelentette az ágazat első 12-rétegű 3D-TSV chiptechnológiáját.
Ennek hála a Samsung már 24 GB-os HBM2E chipeket tud gyártani. A 12-rétegű 3D-TSV technológia lehetővé teszi 12 DRAM chip egymásra halmozását, miközben marad a jelenlegi 8-rétegű HBM2 720 mikométeres vastagsága.
Mindez jó hír a gyártóknak, ugyanis a tervek módosítása nélkül is kihasználhatják a nagyobb kapacitású lapkákat. A Samsung szerint a 12 DRAM chipet vertikálisan egy 3D-s konfiguráció kapcsolja össze, ami több mint 60 000 TSV-lyukat jelent, ezek az emberi hajszál egyhuszadát teszik ki vastagságban.
Nem csak a HBM chipek kapacitása nő mindennek köszönhetően, hanem a teljesítmény is, illetve kedvezőbb lesz a fogyasztás. A 24 GB-os HBM2E chipek sorozatgyártása hamarosan indul, így a videokártyák piacán is készülhet pár meglepetés...
