4 gigabites flash lapkák

A jelenlegi NAND flashmemória cella szerkezeteket nehéz gyártani a 110 nanométeresnél fejlettebb eljárással. Az új technológia, amely lehetővé teszi, hogy minden egyes memória cella két bit információt hordozzon egy helyett, és minimalizálja az elektromos interferenciát, ezt a korlátot szűnteti meg. A két cég az új technológiával már 2004 első felében el akarja kezdeni a 2 és 4 gigabites flash lapkák gyártását a két cég közös vállalatánál, a FlashVision Japanban, amely a Toshiba jokkaicsi üzemében működik. Az új cellaszerkezet területe 0.041 négyzetmikrométer, s komponensei 90 nanométernél kisebbre méretezhetők, áll a cégek közleményében.