Jön az MRAM, a mágneses memóriamodul!

A magnetorezisztív véleltlenszerű eléréssel rendelkező memória (MRAM) a mágnesesség tulajdonságait kihasználva képes az adatokat tárolni, szemben a memóriachipekben eddig megszokott elektromos töltéstől. Ez azt jelenti, hogy a memóriamodul az információt akkor is képes tárolni, ha már nincs áram alatt, épp úgy mint a merevlemezek vagy az USB-kulcsokban, digitális fényképezőgépekben, MP3-lejátszókban használt flashmemóriák.

Több nagy gyártó is (köztük az IBM) évek óta próbálkozik hasonló megoldásokkal, de a Freescale Semiconductor, a Motorola nemrégiben önállósodott félvezetőgyártó üzletága volt az első, aki ezt a gyakorlatban is meg tudta valósítani. A fő különbség az MRAM és a flashmemória között, hogy az MRAM jóval gyorsabb írási és olvasási sebességgel rendelkezik, ráadásul a használat során nem amortizálódik.

Az MRAM főleg a számítógép-használatot forradalmasíthatja, hiszen a gép kikapcsolása után is megmaradnak benne az adatok, ami azt jelenti, hogy bekapcsoláskor akár azonnal ott folytathatjuk a munkát, ahol korábban abbahagytuk. Jelenleg ehhez legközelebb a hibernálás funkció áll, amely a PC kikapcsolásakor a merevlemezre menti a memória tartalmát, és bekapcsoláskor onnan visszaolvassa. Habár így 10-20 másodpercre rövidülhez a rendszer betöltésének folyamata, az MRAM-ok esetében a hatás azonnali lehet.

A Freescale képviselője elmondta, hogy már számos nagyvállalat érdeklődik a technológia iránt, ám konkrét cégeket nem nevezett meg. Bár a sorozatgyártás már megkezdődött, egyelőre azt sem tudni, a technológia mikor kerülhet valóban a boltokba.