A Samsung mellett a másik nagy dél-koreai DRAM-és NAND flash-óriás az SK Hynix, amely nemrég elérhetővé tette a 8 gigabites (1 GB-os) GDDR6-os memórialapkáit.
A H56C8H24MJR-S2C SKU 14 és 12 Gbps-os verziókban létezik, míg a H56C8H24MJR-S0C 12 és 10 Gbps-os változatokban. Az előbbiek energiahatékonyabbak, ugyanis a 14 Gbps-ot 1,35 volton, a 12 Gbps-ot 1,25 volton érik el. Az utóbbiak a 12 Gbps-ot 1,35 volton, a 10 Gbps-ot 1,25 volton.
Eközben a Samsung szintén a napokban jelentette be, hogy megkezdte a 16 gigabites (2 GB-os) GDDR6-os memóriachipek sorozatgyártását. Ennek hála lehetségessé válik a 16 GB memória használata 256 bites memóriabuszon keresztül vagy pedig a 8 GB-é 128 bites memóriabuszon keresztül.
A Samsung lapkái egyébként nem csak kétszer akkora sűrűséget garantálnak, gyorsabbak is, 18 Gbps-ot tudnak 1,35 volton.
A várakozások szerint a GDDR6 lesz a következő nagy memóriaszabvány minden kategóriában, a tömeges elterjedésére pedig 2018-ban és 2019-ben számíthatunk. Elvileg idén dobja piacra az NVIDIA az új Volta grafikus architektúráját is.
