600 MHz-es DDR memória a Samsungtól

Az új memóriachipek FBGA tokozásban készülnek, rendkívül kedvező 3,3 nanoszekundumos hozzáférési idővel rendelkeznek, működésükhöz pedig két feszültség (1,8/2,5 V) szükséges. A magas működési frekvencia és az alacsony hozzáférési idő óriási teljesítmény elérését teszi lehetővé, hiszen a memória sávszélesség eléri a 2,4 GB/s-os értéket. A Samsung szóvivője egyébként elmondta, hogy az új memóriachipeket elsősorban grafikuskártyákon fogják majd alkalmazni.