Az EETimes jelentése szerint az Intel készen áll a saját fejlesztésű MRAM sorozatgyártására. Az MRAM egy nemfelejtő memóriatechnológia, vagyis az információt akkor is megtartja, ha esetleg áramkimaradás van. Tehát inkább nevezhető egyfajta tárhelynek, mint mondjuk RAM-nak.
Az MRAM ugyanakkor nagyon jelentős fejlesztésnek bizonyulhat. A fejlesztők egy hosszú távú, univerzális megoldásban gondolkoztak, amivel a DRAM-ot és a NAND flash-t szeretnék leváltani. Ezeknél ráadásul a skálázhatóság egyre keményebb feladatnak bizonyul, az MRAM pedig sokkal jobb skálázhatóságot ígér.
Az MRAM ráadásul átlépi a DRAM jelenleg elfogadott elméleti korlátait, valamint akár több ezerszer gyorsabb írási sebességet garantál, mint a NAND flash technológia.
A jelenlegi állapotában az MRAM 10 évig képes megőrizni az adatokat 200 Celsius-fokon, elképesztően strapabíró és időtálló, valamint a gyártás során is különösen nagy a hatékonyság. A 22 nm-es FinFET technológia mögött pedig állítólag az Intel 14 nm-es technológiái nyugszanak.
