Egy ideje már lehet hallani az úgynevezett rétegelt alaplapokról, az Apple pedig valami hasonlót épít majd a tizedik évfordulós iPhone 8-ba, amelynek ennek köszönhetően nagyobb, L-alakú akkumulátora lesz.
A fejlett SLP áramköri lapok lényege egyébként az, hogy a chipeket egymáshoz szorosan helyezik el, aminek hála a tényleges lapka kisebb, a készülékekben pedig több hely marad másnak, például az akkumulátornak.
Ilyen fejlesztési céllal vetné be a rétegelt alaplapot a Samsung a Galaxy S9-ben, legalábbis iparági forrásokra hivatkozta ezt jelentette a dél-koreai sajtó.
Állítólag egyelőre csak az Exynos chippel szerelt modellek támogatnák az új technológiát, a Qualcomm lapkakészleteknél ez most még nem működik.
A Galaxy S9 és a Galaxy S9+ várhatóan ugyanakkora lesz, mint az S8 és az S8+, és dizájnban sem változik egyik sem.
