A jelentések alapján a Samsung nem csak felzárkózik majd az Exynos lapkáival az Apple piacvezető A szériás chipjeihez, de a gyártástechnológiában elért friss áttöréseknek hála az egész piacot maga mögé utasíthatja, legalább 12 hónapos előnnyel. A Samsung elsőként válhat át a 3 nm-es gyártástechnológiára.
Mindez természetesen teljesítményben, hatékonyságban és üzemidőben is sok pluszt hoz majd. A jelenleg chipek többsége 7 nm-es FinFET eljárással készül, a technológiát csak a Samsung tudta eddig 5 nm-esre zsugorítani. Ennek eredményeit már a jövő évi Galaxy S11 magával hozza.
A 3 nm-es technológiához már egy új, úgynevezett GAA MBCFET technikát dolgozott ki a Samsung, ami forradalminak számít. A 7 nm-es chipek mérete 45 százalékkal csökkent, a teljesítmény több mint 35 százalékkal nő, a hatékonyság pedig 50 százalékkal.
A Galaxy S10 modellekben az európai piacon 8 nm-es FinFET technológiás Exynos 9820 SoC található, az amerikai és kínai verziókba került Snapdragon 855 7 nm-es FinFET eljárással készült. A Samsung Galaxy S12 elsőként válthat majd 2021-ben 3 nm-re. Az üzemidő a Galaxy S10-hez mérten több mint 50 százalékkal javulhat.
