A kutatócsoport vezetője, Ken Takeuchi professzor kifejtette, hogy a megoldásuk 11-szer jobb adatírási karakterisztikával rendelkezik, 93%-kal kevesebbet fogyaszt és 6.9-szer nagyobb élettartammal rendelkezik, mint a csak NAND lapkákat használó SSD-k.
A hibrid SSD 256 GB-os NAND memóriát kombinál 8 Gbit ReRAM-mal. Az utóbbinak köszönhetően nő az adatok írási sebessége, ezzel egyetemben az SSD teljesítménye növekszik, az energiafogyasztás pedig csökken.
Az adatírást három algoritmus kezeli le. Először az AF (anti-fragment) algoritmus a ReRAM szektorainak egységeibe írja a kis adatokat. Miután egy tömbnyi adat letárolásra került, akkor azt átmásolja a rendszer a NAND memóriába. Ebből kifolyólag annak random-elérését ritkábban kell igénybe venni. Mivel a ReRAM kapacitása azonban limitált, a kisebb adatok írása a ReRAM szabad helyétől függ.
Ahhoz, hogy újraírhassunk egy kis adatmennyiséget a NAND memóriában, a RAAF (reconsider as a fragmentation) algoritmusnak újra a ReRAM-ra kell küldenie az adatokat, hogy a NAND memórián az adatok ne töredezzenek.
A harmadik algoritmus, az MRU (leggyakrabban használt tömb) algoritmus végül a gyakran használt adatokat a ReRAM-ba mozgatja.
A Hibrid SSD 30-szor többször ír adatot a ReRAM-ra, mint a NAND memóriába. Ha a NAND memóriába 3000-szer írunk adatot, a ReRAM-ban az adatok 100000-szer lesznek újraírva.
A ReRAM magas ára ellenére az adatközpontok spórolni tudnának a hibrid SSD-kkel, hiszen azokat nem kellene olyan sűrűn cserélni, mint a jelenlegi SSD-ket. Ezután pedig már kereskedelmi forgalomban is gyorsan megjelenhetnek a hibrid megoldások. Az eredményeiket a Hawaii 2012 Symposium on VLSI Circuits-on mutatja be a kutatócsoport.
