Korábbi hírünkben már kielemeztük, milyen előnyökkel rendelkezik a PCM/PRAM (phase-change memory) a mostani NOR és NAND típusokhoz képest. Akkor még csak fejlesztés alatt álló technológia volt, de ezeket egy-egy nagyobb befektetés és az erőltetett kutatás gyorsan valósággá érleli. Az eredetileg IBM-Macronix-Quimonda fejlesztésnek induló, majd a Samsung által is támogatott projectet végül az Intel karolta fel.
Már meg is érkezett az első ostya, amely 90 nanométeres gyártási eljárással készült PRAM lapkákat tartalmaz. A kék óriás úgy vélekedik, hogy az eszköz akár extrém körülmények között - például 85 fokos hőmérsékleten - is képes megőrizni előnyös tulajdonságait, valamint a benne tárolt adatokat.
A mérnökök nem csak külső eszközökbe, hanem a gép belsejébe is tervezik a PRAM beépítését, ugyanis speciális gyorsítótárazásra sokkal inkább megfelel, mint a flash eszközök. Ezt nagyobb írási és olvasási sebessége mellett hosszabb élettartamának is köszönheti: a PRAM-nak 100 millió írási ciklus sem jelent problémát. A gyártáshoz az Intel az Ovonyx eljárásait licenszelte - a cég elsősorban újraírható CD és DVD médiák alapanyagainak gyártásáról híres, amelyek nagyon hasonlítanak a PRAM-ban használtakhoz.
Az egészben a legszebb az, hogy immáron nem csak elméleti lehetőségekről van szó. A gyártó 2007 végére már a sorozatgyártás megkezdését tervezi, 2008-ban pedig már széles körben is elterjedhetnek a szerkezetváltó memóriára épülő eszközök.
