Mindenki hallott már a flash memóriákról, melyek alapvetően járultak hozzá a kényelmesebb számítástechnikai és szórakoztatóelektronikai kiegészítők létéhez. Találkozunk velük memóriakártyákon, USB flash meghajtókban, szupergyors SSD meghajtókban vagy akár beágyazott rendszerekben. A HP hamarosan a saját maga és a Hynix által közösen fejlesztett megoldással, a memrisztorral kíván betörni az elektronikai piacra. Feltalálója, Leon Chua szerint az új elektronikai elem olyan alapvető fontosságú lehet a továbbiakban, mint akár a tranzisztor. Annyi biztos, hogy használatával sok területen energiatakarékosan kiválthatók a flash memóriák, sőt a DRAM és az SRAM is.
Kezdetben a NOR, ma inkább a NAND típusú flash memóriák adják az adattárolók alapjait. Mindkét típusra jellemző, hogy áramellátás hiányában is tartósan megőrzi a rajta tárolt adatokat, a NAND pedig igen sok alkalommal - de nem korlátlan mértékben - írható újra kifáradás nélkül. A memrisztor elemek kisebbek és egyszerűbbek a flash celláknál és nem csak memória, hanem logikai áramkörök felépítésére is alkalmasak. A memrisztor elem nem más, mint egy emlékezésre képes speciális ellenállás, mely eltérő ellenállást mutat attól függően, hogy az áram melyik irányban folyik át rajta és áram hiányában megőrzi utolsó állapotát. A HP mérnökei platina elektródákat és titán-oxid réteget használtak a memrosztor kapuk előállítására.
A fejlesztések jelenlegi iránya szerint jóval nagyobb adatsűrűség elérhető lesz memrisztor alapokon, mint amit eddig állandó tápellátást igénylő, illékony DRAM alapokon el lehetett érni és a memrisztor sebességben is megüti majd a DRAM mércéjét (a jelenlegi kísérleti darabok is képesek már a DRAM sebességének tizedére). A jelenlegi áramkörökön 100 megabit adatot tároltak egy négyzetcentiméteren, ezekre az alapokra a HP 3D dizájnt épít fel, ezzel pedig 1 petabit (10 a 15. hatványon bit vagy 1000 terabit) adatmennyiséget lehet bezsúfolni egyetlen köbcentiméterbe.
„A memrisztor kapacitás határai többszörösen tágabbak, mint a versenytárs technológiáké. A HP memrisztor technológia alkalmazásával előbb szállíthatunk ügyfeleinknek új, energiatakarékos termékeket." - így jellemezte a Hynix álláspontját S.W. Park, a cég vezető technológiai igazgatója. A memrisztorokból felépíthető ReRAM lapkák képesek helyettesíteni a NAND flash memóriákat a telefonokban és MPO3 lejátszókban, emellett DRAM-ként vagy SSD meghajtóban is jól szolgálhatnak. A HP szerint a memrisztor alapú SSD-k kevesebb energiával és gyorsabban működhetnek majd.
Nem véletlenül nevezte feltalálója, Leon Chua 1971-ben az akkor még csak elméletben létező áramköri elemet az ellenállás, a tranzisztor és az indukciós tekercs mellett a negyedik elektronikai alap-építőelemnek, hiszen az alaposan megváltoztathatja eszközeinket és persze a piacot is. Sevilla-ban a 2011-es International Electronics Forum alkalmával el is hangzott egy HP vezető, Stan Williams szájából, hogy a gyártó 2013-ra tervezi a memrisztor lapkák megjelentetését, akár már SSD meghajtó formájában is - ez azonban csak cél és nem hivatalos ütemterv. DRAM helyettesítőként is nagy jövő előtt áll a memrisztor Williams úr szerint, az új áramköri elemek ugyanis bitenként két nagyságrenddel kevesebb energiát igényelnek állapotváltáskor.
