A kutatók régóta próbálkoznak az állapotváltoztató (phase change), tartalmát energiaellátás nélkül is megörző (non-volatile) memória kifejlesztésével. A phase change memóriák (PRAM) esetében az adatok tárolása az anyag allapotváltozásán alapul, aminek következtében az ellenállás megváltozik, így az 1 és 0 bitek megkülönböztetése a kis- és nagy ellenállás szerint történik. Az állapotváltoztató memóriák magukban hordozzák a RAM memóriák jó tulajdonságait, mint például a gyorsaság és alacsony fogyasztás, mindez párosítva "nem felejtő" képességgel.
Az Intel és az STMicroelectronics közösen elkészítették ennek a memóriatípusnak a működő és használható változatát. A 90 nanométeres technológiával készülő 128 Mbites prototípus (kódnevén Alverstone) nem titkolt célja, hogy megtörje az USB-s eszközökben és memóriakártyákban használt NOR és NAND típusú memóriák egyeduralmát.
A flash memóriák kritikus pontja az élettartam. Nem árulunk el azzal nagy titkot, ha a manapság használt NOR és NAND típusok élettartamát százezer és egymillió író-olvasó ciklus körülire becsüljük. Ezzel szemben a phase change memóriák becsült élettartama százmillió ciklus, tehát tartósság szempontjából hatalmas előnye van. A PRAM egyetlen hátránya, hogy magas hőmérsékleten fennáll az adatvesztés lehetősége, de már dolgoznak ee probléma megoldásán.
Az Alverstone első prototípusai már a mobiltelefon és médiumgyártóknál vannak, hogy tesztelhessék a technológiában rejlő lehetőségeket. Bizonyára sokan gondolnak most arra, hogy a PRAM milyen kiválóan használható majd a későbbiekben az SSD meghajtókban. Nos, az Intel nem így gondolja, ehelyett az SSD fejlesztését legújabb befektetésére, a Nanochip vállalatra bízta. A Nanochip most egy olyan mikroelektromechanikai tárolómegoldás kifejlesztésén dolgozik, amivel 125 gigabájt adatsűrűség érhető el egyetlen négyzethüvelyken és mentes lesz a PRAM melegedésből fakadó hibájától.
