A hordozó réteg úgy lett kialakítva, hogy a beírás, olvasás és törlési funkciókat a tűk hőmérsékletének változtatásával lehet megvalósítani. Mivel kisméretű a kialakítandó mélyedés, a beíráshoz és a törléshez szükséges hőmérséklet eléréséhez, jelentősen kisebb teljesítmény szükséges, mint a hagyományos tárolási eljárásoknál. A beírási ciklus során károsodik a hordozóréteg, ezért egy cella 100 000 írási/olvasási ciklus képes elviselni. A tárolócellák kétdimenziós tömbbe vannak szervezve, így a címzésük hasonló ma használatos DRAM-okéhoz. A tűsorok mozgatása a vezetőkben átfolyó áram hatására megjelenő elektromágneses erő hatására történik.
Mivel a tároló egység néhány atom mélységű, a merevlemezekben alkalmazott sűrűség húszszorosa érhető el Millipede technológiával. A kísérletben bemutatott eszköz 1024 tűt tartalmazott és 0.5 Gbyte adatot tudott tárolni egy 3x3 mm-es felületen. Egy különálló tű átviteli sebessége másodperenként 1-2 Mbit lehet. Az IBM dolgozik a 4096 tűt tartalmazó 7x7 mm területű eszközön is.
Mivel a tároló egység néhány atom mélységű, a merevlemezekben alkalmazott sűrűség húszszorosa érhető el Millipede technológiával. A kísérletben bemutatott eszköz 1024 tűt tartalmazott és 0.5 Gbyte adatot tudott tárolni egy 3x3 mm-es felületen. Egy különálló tű átviteli sebessége másodperenként 1-2 Mbit lehet. Az IBM dolgozik a 4096 tűt tartalmazó 7x7 mm területű eszközön is.
A új technológiának a felhasználási területe megegyezhet a napjainkban használt Flash memóriákéval. Az előrejelzések szerint a Flash memóriák közeljövőben elérhető kapacitása 1-2Gbyte körül lesz, amit jelentősen túl tud szárnyalni a most bemutatott eljárás.
