A memóriákhoz kapcsolódó technológiákban jártas szakemberek döntõ többsége úgy véli, a QDR-SDRAM (Quad Data Rate - Négyszeres adatátviteli sebességû) memóriák, amelyeket a Kentron, valamint egyes értesülések szerint a tajvani chipsetgyártó VIA Technologies is fejleszt, egyelõre szinte bizonyosan bukásra vannak ítélve.
Egyesek szerint jelenleg még a DDR memóriák is meglehetõsen kritikus, érzékeny megoldásoknak számítanak. Egy DRAM memóriákkal foglalkozó vezetõ fejlesztõ szerint a kezdetleges QDR-SDRAM megoldásokban alkalmazott FET kapcsolók jelentõsen bonyolítják a technológiát, és zajforrásként szolgálnak a DDR chipeknek. - Azzal is csak kevés tervezõ van tisztában, hogy a FET kapcsolók képezik a legnagyobb áthallási forrást a rendszerben - mondta a fejlesztõmérnök.
A legnagyobb megoldásra váró probléma a vezérlõelektronika és a memória tokozása lehet, amelyrõl a jelenlegi QDR dokumentációkban nem is esik szó. - A VIA általában meglehetõsen rosszul áll a problémához saját chipkészleteiben. Éppen ezért általában egy-két revízióba telik, mire a belsõ felépítés és a tokozás elnyeri megfelelõ formáját. A QDR esetében ráadásul rendkívül gyors mûködés szükséges, így jóval nehezebb megfelelõ megoldást találni rá. Erre a legjobb példának a Rambus DRAM-alapú megoldásokkal felmerülõ problémák hozhatók fel - tette hozzá a mérnök.
A szakemberek szerint a Kentron megoldása túlzottan le lett egyszerûsítve, és nem fog megfelelni a rendkívül szigorú követelményeknek. - Minden bizonnyal nem vették figyelembe a FET-ek, valamint a tokozás okozta áthallást, amikor a szimulációkat végezték.
Egyelõre terv marad a QDR-SDRAM?
Hirdetés
Hirdetés