Az Intel építi a világ első négyzetmikronos SRAM memóriacelláját

Ezek a cellák, amelyek az építőelemei a memórialapkáknak, egy minden funkcióval rendelkező SRAM eszközök részeként készültek az Intel következő generációs, 90 nanométeres (nm) gyártástechnológiájával. Az eredmény mérföldkő az új technológia 2003-ra tervezett gyártása felé vezető úton. A vállalat jó néhány terméket épít majd ezzel a technológiával, beleértve a processzorokat, lapkakészleteket és kommunikációs termékeket.